ASDM20N12ZB-R دیتاشیت

ASDM20N12ZB-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM20N12ZB-R
حجم فایل 56.579 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت ASDM20N12ZB-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM20N12ZB-R
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.14W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.035nF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 950mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 150pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@4.5V,5A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه